12:45 - 13:00

Introduction

13:00 - 14:50

AXE 1 : Modélisation et prédiction
Charles CORNET, Anne HEMERYCK, Olivier PIERRE-LOUIS

13:00 - 13:30

Antoine JAY
A study based on firt principles to understand the mechanisms involved in the formation of interfaces during the growth of materials

13:30 - 13:50

Anne PONCHET
Mode de croissance et formes d’équilibre de coquilles d’or sur coeurs de fer

14:50 - 15:10

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15:10 - 17:00

AXE 9 : Enjeux industriels : du matériau au dispositif
Jean DECOBERT, Fabien DEPRAT, Arnaud HOUEL

15:10 - 15:40

Marvin FRAUENRATH
GeSn – A potential low cost direct-bandgap alternative to III-V semiconductors for
co-integration in Si-CMOS

15:40 - 16:00

Jeremy VIVES
Development of epitaxial growth and quantification of SiGeC for industrial applications

16:00 - 16:20

Justine LESPIAUX
Selective Epitaxial Growth of Si:P and SiGe:B in cavities in an industrial environment

16:20 - 16:40

Fabien DEPRAT
Epitaxy for the Heterojunction Bipolar Transistors: Possible ways of improvement

16:40 - 17:00

Claire BESANCON
L’intégration de semiconducteurs III-V sur silicium par collage et recroissance pour les télécommunications optiques à haut débit

17:00 - 18:00

Présentation flash des posters

09:00 - 11:20

Axe 2 : Épitaxie sous fortes interactions
Yvon CORDIER, Ulrike LÜDERS, Jean-Baptiste RODRIGUEZ, Guillaume
SAINT-GIRONS

09:00 - 09:30

Thomas MAROUTIAN
Phase of epitaxial ferroelectric ZrO₂ thin films

09:30 - 10:00

Gilles PATRIARCHE
(titre à venir)

10:00 - 10:20

Eva DESGUÉ
PtSe₂ films grown by molecular beam epitaxy for high frequency optoelectronics

10:20 - 10:40

Sébastien SAITZEK Croissance épitaxiale par ablation laser pulsé de films minces Ln₂Ti₂O₇

10:40 - 11:00

Audrey GILBERT
Distribution initiale de phase et enfouissement des domaines d’antiphase lors de la croissance de III-V sur Si(001)

11:00 - 11:20

Gabriel FERRO
Effet de polarité du substrat 4H-SiC sur la croissance hétéroépitaxiale du carbure de bore B_xC par CVD

11:20 - 11:50

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11:50 - 12:50

Axe 3 : Épitaxie sous faibles interactions (van der Waals)
Mathieu JAMET, Adrien MICHON, Geoffroy PREVOT

11:50 - 12:20

Hanako OKUNO
Transmission electron microscopy for the study os epitaxially grown 2D materials

12:20 - 12:50

Fabrice OEHLER
CVD growth of WSe₂ mono- and bi-layers

12:50 - 14:00

Déjeuner 🍽️ 🍽️ 🍽️

14:00 - 16:00

Axe 3 : Épitaxie sous faibles interactions (van der Waals)
Mathieu JAMET, Adrien MICHON, Geoffroy PREVOT

14:00 - 14:20

Rémi LAZZARI Preuve de l’existance de clusters monocouche d’Ag épitaxiés à la surface α-Al₂O₃(001)

14:20 - 14:40

Pierre MALLET
États hybrides monoplan PtSe₂ – graphène : rôle de l’angle de tilt interfacial

14:40 - 15:00

Adrien MICHON
Croissance de graphène par CVD sous hydrogène pour les applications

15:00 - 15:20

Geoffroy PREVOT
Mécanismes de croissance des couches épitaxiales de Xènes révélés par microscopie à effet tunnel in situ en temps réel

15:20 - 15:40

Enguerrand TOULARD
Quasi van der Waals epitaxy of cadmium telluride on 2D materials

15:40 - 16:00

Aly ZAITER
Growth of (Al, Ga)N quantum dots on h-BN and exfoliation processes towards the fabrication of flexible efficient UV-C LED

16:00 - 16:30

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16:30 - 18:30

Session poster

09:00 - 10:50

Axe 4 : Développements instrumentaux et caractérisations ex- et in situ
Alexandre ARNOULT, Paola ATKINSON, Patrick LEFEVRE, Danielle PIERRE

09:00 - 09:30

Nicolas REYEN
Characterization of spin-polarized surface states

09:30 - 09:50

Danielle PIERRE
Étude de nanomatériaux sous UHV : de la croissance multi-matériaux à l’analyse multi-techniques

09:50 - 10:10

Hocine KHEMLICHE
Real-time characterization of the UHV growth of MAPbI₃ by Grazing Incidence Fast Atom Diffraction

10:10 - 10:30

Patrick LEFEVRE
Hétérostructures TMD/Ferroélectrique – Influence de la polarisation du ferroélectrique sur la structure électronique du TMD

10:30 - 10:50

Alexandre ARNOULT
The EpiCentre joint laboratory between LAAS-CNRS and RIBER : real-time characterization instruments and scientific objectives

10:50 - 11:20

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11:20 - 12:40

Axe 5 : Épitaxie de nanostructures et de nouveaux systèmes
Yasmina ANDRÉ, Stefano CURIOTTO, Ludovic DESPLANQUE, Amélie DUSSAIGNE, Sébastien PLISSARD

11:20 - 11:50

Geoffrey AVIT
Selective area growth of well-ordered (In,Ga)N nanowires grown by HVPE

11:50 - 12:10

Nicolas CHAIZE
Réalisation de nanostructures HgTe/CdTe (001) par épitaxie sélective

12:10 - 12:40

Frédéric LEROY
Nanodomaines ferroélectriques dans GeTe épitaxié sur Si(111)

12:40 - 14:00

Déjeuner 🍽️ 🍽️ 🍽️

14:00 - 15:00

Axe 5 : Épitaxie de nanostructures et de nouveaux systèmes
Yasmina ANDRÉ, Stefano CURIOTTO, Ludovic DESPLANQUE, Amélie DUSSAIGNE, Sébastien PLISSARD

14:00 - 14:20

Antoine PEDECHES
Étude des propriétés de films minces de Nitrure de Niobium épitaxiés par EJM sur substrat silicium via un buffer (Al,Ga)N

14:20 - 14:40

Dyhia TAMSAOUT
Two-step growth procedure for homogeneous GaN NW arrays on graphene

14:40 - 15:00

Jonathan HENRIQUES
Croissance de micro-domaines GaN organisés sur graphène

15:00 - 16:20

Axe 6 : Couplage épitaxie / propriétés
Benjamin DAMILANO, Noëlle GOGNEAU, Lisa MICHEZ

15:00 - 15:30

Charles GUILLEMARD Experimental study of half-metal magnets Co₂MnZ Heusler epitaxial films and related super-lattices

15:30 - 16:00

Franck VIDAL Growth, structure and magnetic properties of CoNi-SrTiO₃ vertically self assembled epitaxial nanostructures

16:00 - 16:30

Pause café ☕ ☕ ☕

09:00 - 10:20

Axe 6 : Couplage épitaxie / propriétés
Benjamin DAMILANO, Noëlle GOGNEAU, Lisa MICHEZ

09:00 - 09:20

Gustavo AFONSO
Intégration par SAG de plusieurs lasers SIBH-DFB optimisée sur une plage > 100 nm dans la bande O

09:20 - 09:40

Simon LITSCHGI
Impact of InGaN quantum well thickness on carriers lateral diffusion lenght

09:40 - 10:00

Lisa MICHEZ
Epitaxy-driven altermagnetic phase in Mn₅Si₃ thin films

10:00 - 10:20

José PENUELAS
Hexagonal Ge on self-assisted GaAs nanowires for light emission

10:20 - 10:50

Pause café ☕ ☕ ☕

10:50 - 12:50

Axe 8 : Fonctionnalisation des matériaux
Catherine MARICHY, Laurence MÉCHIN

10:50 - 11:20

Adrien CARRETO
Technologie des couches tampons en quartz épitaxié sur silicium pour des dispositifs d’oxyde intégrés durables et à grande échelle

11:20 - 11:40

Laurence MÉCHIN
Epitaxial La_2/3Sr_1/3MnO₃ thin films on buffered silicon substrates for high-performance uncooled infrared bolometers

11:40 - 12:00

Gurvan BRASSE
Croissance en solution par épitaxie en phase liquide de couches minces cristallines de fluorures dopés terres rares pour des applications laser

12:00 - 12:30

Amadou NDIAYE
L’utilité de la fonctionnalisation des matériaux carbonés dans la conception de capteurs dédiés à la détection de polluants atmosphériques

12:30 - 12:50

Gabriel FERRO
Structuration de surface du 4H-SiC en macro-marches parallèles à partir d’un sandwich SiC/Si(liq)/SiC

12:50 - 14:00

Déjeuner 🍽️ 🍽️ 🍽️

14:00 - 16:10

Axe 7 : Propriétés ultimes et systèmes épitaxiés pour l’ingénierie quantique
Michele AMATO, Hélène CARRERE, Manuel HOUZET

14:00 - 14:30

Simone ASSALI
Isotope- and strain-engineered germanium quantum wells

14:30 - 15:00

Andrea BALOCCHI
Photodétecteur de la polarisation de la lumière par une recombinaison dépendante du spin dans les nitrures dilués

15:00 - 15:20

Joël CIBERT
II-VI quantum dots in nanowires: tools to fine-tune optical properties

15:20 - 15:40

Edith BELLET-ALMARIC
InAs/ZnTe core-shell nanowires for hybrid supersonductor-semiconductor structures

15:40 - 16:10

Michele RE FIORENTIN
Theoritical insights into 2D materials for optoelectronic applications

Programme et résumés des exposés et posters