GDR Matepi

Épitaxie et interactions

Développements instrumentaux et caractérisations ex- et in-situ

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MBE
CVD
HVPE
RT-CVD
MOCVD
ALD
Couplage chambres d’épitaxie / analyse
Caractérisations in situ
Microscopies
Spectroscopie
Diffractions locales et globales
Morphologie
Contraintes
Couches minces
Composition

Contexte et objectifs​

Le réchauffement climatique et la sauvegarde de l’environnement poussent les chercheurs à innover pour permettre le développement de dispositifs moins énergivores tout en utilisant des procédés de synthèse respectueux de la planète. Découvrir des matériaux de plus en plus performants ou présentant des propriétés physiques originales, tel est le but des physiciens travaillant à la croissance épitaxiale.

Pour relever ces défis et arriver à sonder la matière jusque dans ses plus petites dimensions, le développement instrumental d’équipements de croissance et de caractérisation de couches minces sous ultravide est indispensable. Plus encore, combiner synthèse et analyse in situ permet de comprendre et de contrôler les processus mis en jeu lors d’une épitaxie, avec un gain de temps important. Le but étant d’augmenter les connaissances sur la matière et sur ses propriétés, et de faciliter le transfert de procédés vers les industriels.

Cet axe propose de rassembler la communauté des couches minces épitaxiées autour des développements technologiques et vise à partager la culture et les expériences de chacun sur les nouveautés et les atouts de chaque technique, l’intérêt de les combiner in situ ou ex situ, mais aussi sur les difficultés rencontrées lors de leur mise en œuvre seule ou couplée.

Les membres

Alexandre ARNOULT

LAAS, Toulouse

Paola ATKINSON

INSP, Paris

Patrick LE FÈVRE

IPR, Rennes

Danielle PIERRE

IJL, Nancy

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